CC41型片状多层瓷介电容器
- 概述
- 主要型号
- 材料特性
- 特性曲线
- 辅助信息
NP0（CG）1类多层瓷介电容器性能不受电压和温度的影响，损耗小，频率高，长期存放电参数不变化，是超稳定型电容器，适合对容量稳定性要求高的谐振、高频耦合、高频旁路、放大、低噪声等电路中使用
型号 | 0805 | 1206 | 1210 | 1812 | |
容量范围 | 100V | 10pF～470pF | 100pF～1500pF | 1000pF～3300pF | 1000pF～4700pF |
50V | 10pF～1000pF | 100pF～2200pF | 1000pF～4700pF | 1000pF～10000pF | |
允许偏差 | J K | ||||
L | 2±0.3 | 3.2±0.4 | 3.2±0.4 | 4.6±0.4 | |
W | 1.25±0.3 | 1.52±0.3 | 2.5±0.3 | 3.2±0.4 | |
T | 1.25max | 1.5max | 2.5max | 3.2max | |
t | 0.5±0.25 | 0.5±0.35 | 0.5±0.35 | 0.8±0.5 | |
工作温度范围：—55℃～125℃
2. 温度系数：αc 0±30ppm/℃
3. 容量范围：10pF～10000pF（型号不同）
测试条件 频率：CR≤100pF时 f=1±0.1MHz
CR＞100pF时 f=1±0.1kHz
电压：1±0.2V 其中CR为标称电容量
4. 损耗角正切：tgδ≤15×10-4
测试条件 频率：CR≤100pF时 f=1±0.1MHz
CR＞100pF时 f=1±0.1kHz
电压：1±0.2V 其中CR为标称电容量
5. 绝缘电阻：
25℃时： CR≤0.01μF Rj≥1×1011Ω
125℃时： CR≤0.01μF Rj≥1×1010Ω 其中CR为标称电容量 测试条件 ≤额定工作电压
6. 耐压：2.5倍额定工作电压